AI-SiCヒートシンクプレート
材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させたAl-SiCを採用! 低熱膨張、高熱伝導等、優れたヒートシンクプレートです。
こちらは湖南ハーベストテクノロジー社(中国 製)の
Al SiC ヒートシンクプレートです。
湖南ハーベストテクノロジー社は中国長沙市にて
2007 年創業のAl-SiC を中心とした金属複合材メーカーです。
IGBTモジュール用の Al-SiC ベースプレートは、 2013 年から中国で
新エネルギー車に採用されており、これまでに50 万個以上が生産・使用、
製品の安定性と信頼性は、大変高いものとなっております。
【特徴】
■材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させた複合材である、
低熱膨張、高熱伝導、高強度、高剛性、軽量等、優れたAl-SiC を使用
■プレート表面をAl 層で覆うことによる優れたメッキ性す。
■PIN FIN 構造による、より優れた放熱性
■短納期・低価格での試作をお請け致します。
基本仕様
【用途】
■EVや電車向けIGBTなどのパワー半導体用ヒートシンクベースプレート
■光通信関連機器
■CPU半導体パッケージ
■医用 CT